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根据工作部署安排,广西安鑫电子材料有限公司向我局申请年产70万吨高端半导体化学材料生产基地项目规划总平面图设计技术审查,具体内容如下:
项目位于大榄坪五号路西面、金鸡大街北面,主要建设液态三氧化硫装置、电子级96%硫酸装置、电子级36%盐酸装置等。项目用地166666.67平方米,建、构筑物总占地面积75373.02平方米,总建筑面积77552.38平方米,计容建筑面积114520.50平方米,容积率0.69,绿地率9%等。
经审核,该项目报审的规划总平面图符合规划要求,我局拟同意通过该项目规划总平面图设计技术审查,根据规划管理的相关规定,现对该规划总平面图予以公示,有效公示期为7个工作日,时间从2026年4月21日至29日,公示地点:项目建设地点、中马钦州产业园区管理委员会网站(http://zmqzcyyq.gxzf.gov.cn/)。如对此设计方案有异议,请在公示期限内向我局提出具体书面意见,并署真实姓名和联系电话。业务咨询电话:0777-5988680,曾工。
附图:总平面布置图
(附图详见项目建设地点、中马钦州产业园区管理委员会网站)
中国—马来西亚钦州产业园区自然资源局
2026年4月21日
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